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簡(jiǎn)要描述：單片集成 10bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片高速切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
產(chǎn)品型號(hào)：梓冠廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-05-10訪 問(wèn) 量：1758詳細(xì)介紹
| 品牌 | 梓冠 |
|---|
一、SOI芯片光延時(shí)線的定義
SOI芯片式低偏振相關(guān)損耗可調(diào)光延時(shí)線，該產(chǎn)品基于級(jí)聯(lián)的高速光開(kāi)關(guān)和延時(shí)光路組成，實(shí)現(xiàn)大量程、高精度量化可調(diào)光延時(shí)線的片上集成，本產(chǎn)品通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了超低偏振相關(guān)性損耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片光延時(shí)線的特點(diǎn)
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片光延時(shí)線的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)
四、SOI芯片光延時(shí)線的性能指標(biāo)
| 參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長(zhǎng)范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 單級(jí)熱調(diào)功耗 | mW | 100 | ||
| 單級(jí)電調(diào)功耗 | mW | 10 | ||
| 光纖接入損耗 | dB | 12@9 bit | ||
| 偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.5 | ||
| 延時(shí)量精度 | ps | 30@2048 pS | ||
| 延遲步進(jìn) | ps | 2 | ||
| 平坦度 | dB | <0.5 dB@2048 pS | ||
| 響應(yīng)速率 | Hz | >20kHz@熱調(diào)試模式，>10MHz@電調(diào)模式 | ||
| 最大延時(shí)量 | ps | 1024/2048 或可定制 | ||
| 延時(shí)量量化位數(shù) | bit | 10或可定制 | ||
| 通道數(shù) | 1或可定制 | |||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 8.1(L)x2.3(W)x0.5(H) | ||
五、SOI芯片光延時(shí)線的芯片尺寸
六、四川梓冠光電SOI芯片光延時(shí)線訂貨信息
| 波長(zhǎng) | 類(lèi)型 | 通道數(shù) |
13=1310nm 15=1550nm | 10-2048=10 bit，2048 ps XX=other | 1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther |
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